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組織・研究分野

ナノスピンメモリ [池田] 研究室

教員・職員

[PHOTO.1] 教授 池田 正二
(国際集積エレクトロニクス研究開発センター)

半導体スピントロニクス研究部では、半導体内の電子やスピンの状態を制御し工学的に応用するために、 新しい半導体材料の開発、量子構造の作製と性質の理解、それらの超高速電子デバイス応用に関する研究を行っている。 より具体的には、 (1)半導体においてスピンと電荷の自由度の両方を使った新しいエレクトロニクス(半導体スピントロニクス)のための強磁性半導体/非磁性半導体量子構造の作製とそのスピン物性の解明、半導体スピンメモリの研究開発、そしてスピンを用いた量子コンピューティング・量子通信など新しいデバイス・システムの探索と実現、 (2)ブロークンギャップヘテロ構造 (InAs/GaSb)中のサブバンド間の光学遷移を利用したTHz縲怏盗ヤ外レーザの研究、 (3)低温・強磁場における低次元電子間の量子輸送現象、 (4)金属磁性体を用いたスピンメモリ素子、の研究に力を注いでいる。 対象としている半導体は、GaAs/AlAsやInAs/GaSbなどの非磁性化合物半導体と、III-V族ベースの新しい強磁性半導体(Ga,Mn)As、(In,Mn)Asなどであり、すべて分子線エピタキシ法で成長している。これらの半導体系を用いてヘテロ構造・量子構造を作製し、その電気・光・磁気的特性を調べ、応用に結びつける研究を進めている。

研究テーマ

  1. 半導体スピントロニクスに関する研究
    1. 強磁性半導体およびその量子構造の物性と応用に関する研究
    2. スピンメモリの研究
    3. 半導体量子構造中のスピンコヒーレンスの研究と量子情報技術への応用
  2. 量子構造によるTHz?遠赤外レーザの研究
  3. 半導体量子構造に関する研究
  4. 金属磁性体素子とそのメモリへの応用に関する研究
東北大学 電気・情報系
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