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組織・研究分野

マイクロエネルギーデバイス [山口] 研究室

教員・職員

[PHOTO.1] 教授 山口 正洋
(マイクロエネルギーデバイス分野)
[PHOTO.3] 助教 青木 英恵
[PHOTO.4] 助教 サイ ラナジット
(未来科学技術共同研究センター)

私達の暮らすIT社会では, 240MWh以上の電気エネルギーが世界中で毎年4億台の携帯電話に分散されて生産され続け, これを10億人以上の個人が持ち歩いています. 人類が未だかつて経験したことのない巨大でかつ微小に分散したマイクロエネルギーシステムが情報通信の1ビットづつを支えているのです.

私達はナノ・マイクロ領域において磁界と磁気エネルギーを制御・設計する技術が次世代の新しいIT技術を牽引するという独創的考えを持っています. High-Qの集積化磁性薄膜インダクタがあれば90%を越す高効率の薄型DC-DCコンバータチップが開発でき, IT機器の省エネルギー化を格段に推進できます. 電波が微弱でも携帯電話が通じるためには受信フロントエンド回路にあるインピーダンスマッチング用マイクロインダクタの消費電力を低減することが極めて有効です. IT機器の内部ではデジタル信号処理とアナログワイヤレス通信の周波数が機器内で競合するため, 高周波・高空間分解能マイクロ磁界プローブが電磁干渉の解析ツールとして脚光を浴びています. 集積化磁性薄膜によって電子回路やLSIの発する電磁ノイズを的確に取り除き信号品質を格段に向上することができます. 私達はこのような研究を推進しています.

研究テーマ

  1. ナノ・マイクロ領域における電磁界シミュレーション
  2. ナノ・マイクロ構造制御によるRF磁性薄膜材料
  3. 超高周波薄膜透磁率/誘電率測定装置
  4. 集積化マイクロ磁気デバイス(RFインダクタ,電磁雑音抑制デバイス,マイクロエネルギー制御など)
  5. RF MEMS
  6. 超高周波マイクロ電磁界プロービング技術
  7. ハードディスクドライブにおける高速信号伝送・ノイズ低減技術
東北大学 電気・情報系
〒980-8579 仙台市青葉区荒巻字青葉 6-6-05
TEL : 022-795-7186(教務係)
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