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鷲尾・小谷研究室の研究論文が、 Advances In Engineering (AIE) により、 工学的に特に重要度の高い論文として選ばれ、AIE のサイトにて紹介されました。

鷲尾・小谷研究室の次の研究論文が、Advances In Engineering(AIE) により、 工学的に特に重要度の高い論文として選ばれ、AIE のサイトにて紹介されました。

 Hiroshi Chiba, Tatsuya Mori, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio.
 "Low-Temperature Heteroepitaxial Growth of Single-Domain V-Doped ZnO Films on c -Face Sapphire"
 Journal of Electronic Materials, May 2015, Volume 44, Issue 5, pp 1351-1356.

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