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2017/10/11
電子工学専攻の鷲尾研究室の論文がAIEにより「工学的に特に重要度の高い論文」に選定
電子工学専攻 固体電子工学［鷲尾］研究室の佐藤佑紀氏（2016年博士前期課程修了）、
伊藤友樹博士後期課程3年（学振特別研究員）、川島知之助教、鷲尾勝由教授による論文が、
Advanced In Engineering (AIE)により「工学的に特に重要度の高い論文」に選定され、
AIEのサイトに掲載されました。
・対象論文
Yuhki Satoh, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, and Katsuyoshi
Washio. "Effects of Ge growth rate and temperature on C-mediated
Ge dot formation on Si (100) substrate."
Thin Solid Films, volume 621 (2017), pages 42-46.
・掲載URL
https://advanceseng.com/electrical-engineering/effects-ge-growth-rate-temperature-c-mediated-ge-dot-formation-si-100-substrate/
【問合せ先】
東北大学大学院工学研究科
電子工学専攻 固体電子工学［鷲尾］研究室
tel.022-795-7122
http://www.sse.ecei.tohoku.ac.jp/
