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2018/5/18

反応性エッチングプロセスの開発による磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の高性能化と歩留まり率の向上の両立に世界で初めて成功

 指定国立大学法人東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、CIESと略称)の遠藤哲郎センター長 (兼同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター(世界トップレベル研究拠点)副拠点長、 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター長、スピントロニクス学術連携研究教育センター部門長)のグループは、 CIESコンソーシアム産学共同研究プロジェクト「不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発」プログラムにおいて、 東京エレクトロン株式会社(代表取締役社長・CEO 河合 利樹)と共同で 反応性イオンエッチングプロセスの開発によるスピン・トランスファー・トルク型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の高性能化と歩留まり率の向上の両立に世界で初めて成功致しました。

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