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2018/11/9

メモリ・テスト・システムによる、磁気ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)のスイッチング電流測定技術を確立

 指定国立大学法人東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長 (兼 同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター(世界トップレベル研究拠点)副拠点長、 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター長、スピントロニクス学術連携研究教育センター 部門長)のグループは、 CIESコンソーシアムでの産学共同研究並びに、科学技術振興機構 産学共創プラットフォーム共同研究推進プログラム(領域統括:遠藤哲郎)において、 株式会社アドバンテスト(代表取締役 兼 執行役員社長:吉田 芳明 本社:東京都千代田区丸の内1丁目6番2号 以下、アドバンテスト)と共同で、 次世代メモリとして期待される「スピン注入型磁気ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)」のメモリ・アレイ内の スイッチング電流を高精度かつ高速に測定する電流測定モジュールを開発し、 アドバンテスト社製のメモリ・テスト・システムを用いてマイクロアンペア単位かつナノ秒単位で測定する実証実験に成功しました。

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