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インフォメーション

2018/12/7

100Mb超密度で世界最高書き込み速度性能(14ナノ秒)を有するキャッシュアプリケーション向け128Mb密度STT-MRAMの開発に成功

 指定国立大学法人東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、CIESと略称)の 遠藤哲郎センター長(兼 同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター(世界トップレベル研究拠点)副拠点長、 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター長、スピントロニクス学術連携研究教育センター 部門長)のグループは、 CIESコンソーシアム産学共同研究プロジェクト「不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発」プログラム、 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業(研究代表者:遠藤哲郎)において、 100Mb超密度で世界最高書き込み速度性能(14ナノ秒)を有するキャッシュアプリケーション向け128Mb密度STT-MRAM(磁気ランダムアクセスメモリ) の開発に世界で初めて成功致しました。

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