300mmウェハ対応 磁場印加・プローバー

将来の不揮発性メモリ素子として、高速動作性、低消費電力性、高耐久性の観点から、STT-MRAMが最も有力視されています。本プローバーは、シリコンウェハに対して水平または垂直方向に磁場を印加した状態で、集積回路の評価が可能です。また、業界標準である300mm口径ウェハに対応しており、単体のSTT-MRAMの測定から、大規模な不揮発性ロジック、不揮発性メモリ集積回路まで測定できます。