| ＜プログラム＞ | |
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| 13:30〜14:10 | CPP−GMRヘッドの現状 |
| 中本一広 (日立) | |
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| 14:10〜14:50 | CCP-NOLを有するCPP-GMRスピンバルブ膜 |
| 福澤英明 (東芝) | |
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| 14:50〜15:30 | フルホイスラー合金Co-Mn-Siを用いた三層膜におけるCPP-GMR |
| 薬師寺啓、齊藤今朝美、三谷誠司、高梨弘毅 (東北大金研 | |
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| ＜15:30〜15:40 休憩＞ | |
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| 15:40〜16:20 | 高分極率ホイスラー合金を用いたMTJのTMR効果 |
| 桜庭裕弥，大兼幹彦， *久保田均，宮崎照宣（東北大院工，*産総研 | |
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| 16:20〜17:00 | Co系フルホイスラー合金薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャルMTJの製作 |
| 丸亀孝生，石川貴之，松田健一，植村哲也，山本眞史（北大院情報科学研究科） | |
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| 17:00〜17:40 | エピタキシャル強磁性2重トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果 |
| 野崎隆行、手束展規、猪俣浩一郎 (東北大院工） | |
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